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1、負責芯片結構、工藝流程設計、方案制定等；
2、負責具體異常的技術分析，反向分析，前沿技術研究與開發(fā)；
3、負責具體芯片技術路線規(guī)劃與制定；
4、負責具體設計與平臺技術建設；
5、負責對接工藝整合，明確平臺能力，輸出設計要求，推動設計方案的執(zhí)行。

任職要求：

1、本科及以上學歷，電氣、電子、機械、材料等相關專業(yè)；
2、3-5年及以上功率器件設計相關工作經驗，具備扎實的半導體物理、固體物理基礎，深入理解功率半導體器件（如MOSFET， IGBT， SiC， GaN）的設計原理、制造工藝及特性表征；
3、具有較強的組織策劃、溝通協(xié)同能力，身心健康，積極進取，責任心強，能承受壓力。