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崗位職責(zé)：
1、負(fù)責(zé)MRI系統(tǒng)梯度功率放大器新產(chǎn)品/新平臺(tái)的研發(fā)，包括系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)、關(guān)鍵元器件選型、電路設(shè)計(jì)與仿真。
2、負(fù)責(zé)主功率拓?fù)湓O(shè)計(jì)：精通大功率、高電壓、快切換速率的線性放大器或開關(guān)式放大器（如D類、多電平逆變器）的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。
3、完成梯度功放的性能調(diào)試、優(yōu)化與測(cè)試，確保其滿足嚴(yán)格的MRI系統(tǒng)要求，包括輸出電流精度、穩(wěn)定性、切換率（Slew Rate）、線性度、信噪比等關(guān)鍵指標(biāo)。
4、深入分析和解決與梯度線圈的電磁耦合問題，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)性能，并參與渦流補(bǔ)償、振動(dòng)與聲學(xué)噪聲抑制等相關(guān)技術(shù)攻關(guān)。
5、負(fù)責(zé)梯度功放的可靠性、熱設(shè)計(jì)與EMC（電磁兼容）設(shè)計(jì)及整改，確保產(chǎn)品通過醫(yī)療設(shè)備相關(guān)認(rèn)證。
6、編寫全套研發(fā)技術(shù)文檔，包括設(shè)計(jì)規(guī)范、測(cè)試方案、調(diào)試報(bào)告、BOM清單等。
任職要求：
1. 學(xué)歷與專業(yè)：碩士及以上學(xué)歷，電力電子、電氣工程、自動(dòng)化等相關(guān)專業(yè)；具有大功率精密放大器、特種電源、多電平逆變器等研究背景者優(yōu)先。
2. 知識(shí)與技能
①深厚的理論基礎(chǔ)：
精通功率放大器理論（線性A/AB類， 開關(guān)D類等）;
精通多電平逆變器拓?fù)洌ㄈ鏗橋級(jí)聯(lián)）、開關(guān)電源技術(shù) 和模擬電路設(shè)計(jì);
深刻理解功率半導(dǎo)體器件（IGBT， MOSFET）的特性、驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì);
掌握反饋控制理論，能夠運(yùn)用波特圖等進(jìn)行環(huán)路穩(wěn)定性分析與補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)。
②仿真與設(shè)計(jì)能力：
熟練使用MATLAB或其它工具進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)和電路級(jí)仿真;
精通至少一種EDA工具，如 Altium Designer 或 Cadence，具備高功率密度、高dv/dt、高di/dt環(huán)境下的PCB布局經(jīng)驗(yàn)。
③測(cè)試與診斷能力：
能熟練操作高精度示波器、功率分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀、LCR表 等;
具備強(qiáng)大的硬件調(diào)試和故障診斷能力，能解決波形失真、振蕩、過沖、EMI等問題。