崗位職責(zé):
1.核心工藝開發(fā)與優(yōu)化:負(fù)責(zé)鈮酸鋰薄膜(LNOI)光芯片的微納加工核心工藝模塊的開發(fā)、優(yōu)化與固化,重點(diǎn)包括:電子束曝光的高分辨率光刻工藝;電感耦合等離子體干法刻蝕工藝;電子束蒸發(fā)等技術(shù)的金屬電極制備與剝離工藝。
2.工藝流程整合:參與設(shè)計(jì)并執(zhí)行從襯底到芯片的全流程工藝整合,確保各工藝步驟間的有效銜接與良率提升。
3.設(shè)備操作與維護(hù):獨(dú)立操作并日常維護(hù)關(guān)鍵微納加工設(shè)備(如電子束曝光機(jī)、ICP刻蝕機(jī)、電子束蒸發(fā)臺(tái)等),保證設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。
4.芯片表征與數(shù)據(jù)分析:熟練使用SEM、AFM、臺(tái)階儀等表征設(shè)備對(duì)工藝結(jié)果進(jìn)行檢測(cè)與分析,依據(jù)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)工藝迭代和改進(jìn)。
5.文檔與標(biāo)準(zhǔn)化:撰寫詳細(xì)的工藝操作規(guī)范(SOP)、實(shí)驗(yàn)報(bào)告和技術(shù)文檔,建立和完善工藝知識(shí)庫(kù)。
6.跨部門協(xié)作:與設(shè)計(jì)、測(cè)試、封裝等團(tuán)隊(duì)緊密合作,共同解決技術(shù)難題,推動(dòng)芯片性能目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。
任職要求:
1.學(xué)歷與經(jīng)驗(yàn):
碩士及以上學(xué)歷,微電子學(xué)、光學(xué)工程、物理電子學(xué)、材料科學(xué)與工程等相關(guān)專業(yè)。
應(yīng)屆畢業(yè)生:要求在校期間具有微納加工工藝實(shí)踐或科研經(jīng)歷,博士研究生優(yōu)先。以鈮酸鋰、磷化銦或硅光為主要研究方向的候選人將獲得重點(diǎn)考慮。
社會(huì)招聘:要求2年及以上光芯片(如鈮酸鋰、硅光、III-V族)微納工藝研發(fā)或量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。
2.專業(yè)知識(shí)與技能:
必備經(jīng)驗(yàn):深刻理解微納加工基本原理,具備電子束曝光和干法刻蝕中至少一項(xiàng)的扎實(shí)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。
關(guān)鍵技能:具備以下一項(xiàng)或多項(xiàng)設(shè)備的實(shí)際操作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先:
光刻:電子束曝光、紫外光刻、深紫外光刻。
刻蝕:電感耦合等離子體刻蝕機(jī)。
薄膜沉積:電子束蒸發(fā)、磁控濺射等。
表征設(shè)備:掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、臺(tái)階儀等。
材料專長(zhǎng):擁有鈮酸鋰薄膜材料加工經(jīng)驗(yàn)者極具競(jìng)爭(zhēng)力。熟悉其刻蝕特性、損傷閾值及退火活化等后處理工藝者更佳。
數(shù)據(jù)分析:能夠熟練使用專業(yè)軟件(如Origin, MATLAB, Python等)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理和分析,具備通過數(shù)據(jù)分析解決工藝問題的能力。