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1.參與籌建和搭建薄膜鈮酸鋰芯片專用測(cè)量測(cè)試平臺(tái)，負(fù)責(zé)相關(guān)檢測(cè)設(shè)備的調(diào)研、選型、導(dǎo)入及驗(yàn)收工作。
2.負(fù)責(zé)建立薄膜鈮酸鋰芯片的光學(xué)及電學(xué)特性的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、方法與流程。
3.操作、維護(hù)并校準(zhǔn)專用檢測(cè)設(shè)備，確保測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與可靠性。
4.對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行深度分析與溯源，建立測(cè)試數(shù)據(jù)庫(kù)，及時(shí)反饋異常，為薄膜鈮酸鋰工藝開發(fā)與性能優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。
5.撰寫測(cè)試分析報(bào)告與標(biāo)準(zhǔn)化操作文檔，負(fù)責(zé)與內(nèi)外部客戶進(jìn)行檢測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)接與解讀。