職位描述
外延工藝
崗位職責:
1、負責新型存儲器研發(fā)所需的先進原子層沉積薄膜材料生長以及工藝研發(fā)，對材料進行系統(tǒng)表征測試（TEM，XRD，SIMS，SEM，AFM等）；
2、依據(jù)研發(fā)項目需求，調(diào)研文獻和開展實驗，確定優(yōu)化工藝條件，保障整體研發(fā)進度；
3、引入和評估新材料、新機臺、新功能，并降低工藝成本；
5、熟練使用數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析軟件及實驗設計工具（DOE）；
6、分析數(shù)據(jù)并總結科技研發(fā)報告，定期匯報研發(fā)進展，撰寫相關科技論文和申請專利。
任職要求:
1、電子類/物理/化學/材料等相關專業(yè)，碩士及以上學歷，博士優(yōu)先；
2、3-5年12inch ALD相關研發(fā)經(jīng)驗；
3、較強的溝通表達能力、組織協(xié)調(diào)能力和團隊合作精神；
4、具有優(yōu)秀的英文閱讀和寫作能力
5、具有良好的研發(fā)能力和思維，吃苦耐勞，能適應半導體研發(fā)工作模式；
6、有本領域發(fā)明專利申請經(jīng)驗者優(yōu)先。
工作地點
北京通州區(qū)京東貝科技園(西南門)
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職位發(fā)布者
王雅璇/HR
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北京超弦存儲器研究院北京超弦存儲器研究院于2020年9月在北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)成立。作為產(chǎn)學研合作平臺，研究院聚焦國際先進的存儲器技術研發(fā)和高端人才培養(yǎng)，致力于實現(xiàn)國產(chǎn)存儲器芯片制造技術的持續(xù)迭代，努力成長為世界存儲器芯片的技術創(chuàng)新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技術的尺寸微縮，在DRAM新架構、新材料、新工藝、先進封裝、先進光刻技術、近存計算和高帶寬存儲等領域，對未來DRAM量產(chǎn)技術可能存在的主要路徑開展系統(tǒng)的工藝研發(fā)和設計-制造協(xié)同優(yōu)化。目前主要的研究項目包括4F2垂直圍柵晶體管動態(tài)隨機存儲器、銦鎵鋅氧場效應晶體管動態(tài)隨機存儲器、橫向堆疊單元存儲器、垂直圍柵晶體管磁存儲器等基于新器件結構的存儲器制造技術；基于混合鍵合技術的高帶寬存儲器芯片和近存計算、存內(nèi)計算等芯片的設計和制造；以及先進DRAM制造中的關鍵光刻技術和設計技術方法學研究等。研究院擁有12英寸先進DRAM研發(fā)所需的硬件條件，包括傳統(tǒng)的1X DRAM全流程基礎工藝和一系列由特種裝備構成的短流程特色工藝；設計制造協(xié)同優(yōu)化所需的軟件平臺；以及具有豐富的芯片工藝和設計研發(fā)經(jīng)驗的技術團隊。研究院與清華大學、北京大學、中國科學院微電子研究所等國內(nèi)外領先的高校院所和集成電路行業(yè)領軍企業(yè)建立了緊密的合作關系，開展基于項目的研發(fā)合作。同時，研究院與上述三家院所在人才聯(lián)合培養(yǎng)方面開展了系統(tǒng)而緊密的合作，為產(chǎn)業(yè)研究生的培養(yǎng)提供了研發(fā)和實訓平臺。
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