職位描述
離子注入工藝電子/半導體/集成電路
職責描述：
1.對半導體器件（SBD、MOS等）原理和工藝流程有深入了解，掌握半導體產品生產的工藝標準
2.有較強的問題分析和質量改善能力，能針對產品不良制定相應的改善對策
3.掌握注入工藝，了解半導體設備結構和工作原理
任職要求：
1.FAB廠相關工序工作3年以上
2.掌握注入工藝即可
職位福利：五險一金、績效獎金、帶薪年假、包住、定期團建、年底雙薪、大牛帶隊、餐補
工作地點
麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微項目中電二公司項目部
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麗水
浙江廣芯微電子有限公司
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葉先生/招聘專員
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浙江廣芯微電子有限公司廣芯微電子公司建設項目分為二期進行，計劃總投資約30億元，總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設施占地3萬余平方米，主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導體器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設施占地1.4萬余平方米，主要面向第三代半導體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件，包含中低壓分立柵（Split-gate Trench MOS）、超級結（CoolMOS）、高壓BCD工藝等。二期建設全部完成投產后，將實現(xiàn)年產折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導體晶圓及年產3.6萬片第三代半導體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求。項目建成達產后可形成年產240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產能力，以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求，預計達產后可實現(xiàn)年營業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元，稅收1.1億元，工業(yè)增加值7.3億元，新增就業(yè)960余人。
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