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更新于 12月16日

光刻工藝主管

2-3萬·13薪
  • 麗水蓮都區(qū)
  • 5-10年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

光刻工藝電子/半導(dǎo)體/集成電路
【工作內(nèi)容】
- 負(fù)責(zé)光刻工藝流程的優(yōu)化與管理,提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率;
- 指導(dǎo)和監(jiān)督光刻設(shè)備的操作與維護(hù),確保設(shè)備穩(wěn)定運行;
- 協(xié)同研發(fā)團(tuán)隊進(jìn)行新工藝的導(dǎo)入與驗證,推動技術(shù)升級;
- 制定并執(zhí)行光刻工藝相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程(SOP),保障生產(chǎn)合規(guī)性。
【任職要求】
- 本科及以上學(xué)歷,材料科學(xué)、微電子、化學(xué)工程等相關(guān)專業(yè);
- 5年以上光刻工藝相關(guān)工作經(jīng)驗,3年以上團(tuán)隊管理經(jīng)驗;
- 熟悉光刻設(shè)備及工藝流程,具備較強的技術(shù)分析與問題解決能力;
- 具備良好的溝通協(xié)調(diào)能力和責(zé)任心,能適應(yīng)高強度工作節(jié)奏。

工作地點

麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司

職位發(fā)布者

葉先生/招聘專員

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公司Logo浙江廣芯微電子有限公司
廣芯微電子公司建設(shè)項目分為二期進(jìn)行,計劃總投資約30億元,總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米,主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件,包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米,主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件,包含中低壓分立柵(Split-gate Trench MOS)、超級結(jié)(CoolMOS)、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后,將實現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力,以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求,預(yù)計達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年營業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元,稅收1.1億元,工業(yè)增加值7.3億元,新增就業(yè)960余人。
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